射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS
**HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF**
**VHF / UHF radio and digital cellular BTS applications**
**HF to 2000MHz class AB common source - PowerFLAT**
VHF / UHF radio applications
**HF to 2000MHz class AB common cource - ceramic packages**
**UHF TV and digital cellular BTS applications**
**2 to 400MHz class AB common source N channel MOSFETs**
HF / SSB, FM / VHF broadband applications
**2 to 30MHz class AB linear, common emitter, HF / SSB**
额定电压DC 110 V
额定电流 40.0 A
极性 NPN
耗散功率 330 W
输出功率 200 W
击穿电压集电极-发射极 55 V
增益 15dB ~ 17dB
最小电流放大倍数hFE 23 @10A, 6V
额定功率Max 330 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 330000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 M-177
封装 M-177
材质 Silicon
工作温度 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SD1728 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
MS1004 美高森美 | 功能相似 | SD1728和MS1004的区别 |
SD1728-15 意法半导体 | 功能相似 | SD1728和SD1728-15的区别 |
HF250-50 Advanced Semiconductor | 功能相似 | SD1728和HF250-50的区别 |