S9013-G-AP

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S9013-G-AP概述

TO-92 NPN 25V 0.5A

- 双极 BJT - 单 NPN 25 V 500 mA 150MHz 625 mW 通孔 TO-92


得捷:
TRANS NPN 25V 0.5A TO92


艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo


Verical:
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo


Win Source:
TRANS NPN 25V 0.5A TO92 / Bipolar BJT Transistor NPN 25 V 500 mA 150MHz 625 mW Through Hole TO-92


S9013-G-AP中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.625 W

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.5A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92

外形尺寸

封装 TO-92

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Ammo Pack

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买S9013-G-AP
型号: S9013-G-AP
描述:TO-92 NPN 25V 0.5A
替代型号S9013-G-AP
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

S9013-G-AP

Micro Commercial Components 美微科

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S9013-G-AP和S9013-G-BP的区别

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