SN7002NH6327XTSA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

SN7002NH6327XTSA1概述

Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET SN7002NH6327XTSA1, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装

SIPMOS® N 通道 MOSFET

得捷:
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3

欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET SN7002NH6327XTSA1, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

安富利:
Transistor MOSFET N-CH 60V 0.2A 2-Pin SOT-23 T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23

SN7002NH6327XTSA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 360mW Ta

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 0.2A

上升时间 3.2 ns

输入电容Ciss 45pF @25VVds

额定功率Max 360 mW

下降时间 3.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SN7002NH6327XTSA1

型号： SN7002NH6327XTSA1

描述：Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET SN7002NH6327XTSA1, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装

替代型号SN7002NH6327XTSA1