RF功率双极晶体管VHF移动应用程序 RF POWER BIPOLAR TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS
RF POWER BIPOLAR TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS
DESCRIPTION
The is a 12.5 V Class C epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for VHF
FM communications. This device utilizes diffused emitter resistors to withstand extremely high
VSWR under rated operating conditions, and is in ternally input matched to optimize power gain and efficiency over the 136 - 175 MHz band.
FEATURES SUMMARY
■ 175 MHz
■ 12.5 VOLTS
■ COMMON EMITTER
■ POUT= 100 W MIN. WITH 6.0 dB GAIN
额定电压DC 18.0 V
额定电流 20.0 A
耗散功率 270 W
击穿电压集电极-发射极 18 V
增益 6 dB
最小电流放大倍数hFE 10 @5A, 5V
最大电流放大倍数hFE 10 @5A, 5V
额定功率Max 270 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 270000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 M-111
长度 24.89 mm
宽度 21.97 mm
高度 7.11 mm
封装 M-111
工作温度 200℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
SD1477 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
SD1272 美高森美 | 类似代替 | SD1477和SD1272的区别 |
SD1275-01 意法半导体 | 功能相似 | SD1477和SD1275-01的区别 |
SD1433 意法半导体 | 功能相似 | SD1477和SD1433的区别 |