SMMBT2907ALT1G

NPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

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带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

欧时:
### 通用 NPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

得捷:
TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3

立创商城:
PNP 双极晶体管

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SS GP XSTR SPCL TR

艾睿:
Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile PNP SMMBT2907ALT1G GP BJT from ON Semiconductor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

Allied Electronics:
ON Semi SMMBT2907ALT1G PNP Bipolar Transistor; 0.6 A; 60 V; 3-Pin SOT-23

安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 1.2A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Newark:
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