STAC2933

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STAC2933概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 300W 20dB 30MHz STAC N-Ch MOS RF 150MHz

This RF amplifier from STMicroelectronics is a semiconductor-based transistor that amplifies or switches electronic signals and electrical power in a circuit. Its maximum power dissipation is 795000 mW. This component will be shipped in tray format. This RF power MOSFET has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode.

STAC2933中文资料参数规格
技术参数

频率 30 MHz

耗散功率 795000 mW

输出功率 400 W

增益 23.5 dB

测试电流 250 mA

输入电容Ciss 1000pF @50VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 795000 mW

额定电压 130 V

封装参数

引脚数 5

封装 STAC177B

外形尺寸

封装 STAC177B

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STAC2933
型号: STAC2933
描述:射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 300W 20dB 30MHz STAC N-Ch MOS RF 150MHz

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