射频功率晶体管射频功率晶体管 RF POWER TRANSISTORS RF POWER TRANSISTORS
**HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF**
**VHF / UHF radio and digital cellular BTS applications**
**HF to 2000MHz class AB common source - PowerFLAT**
VHF / UHF radio applications
**HF to 2000MHz class AB common cource - ceramic packages**
**UHF TV and digital cellular BTS applications**
**2 to 400MHz class AB common source N channel MOSFETs**
HF / SSB, FM / VHF broadband applications
**2 to 30MHz class AB linear, common emitter, HF / SSB**
频率 860 MHz
额定电压DC 65.0 V
额定电流 14 A
极性 N-Channel
耗散功率 217 W
输入电容 82.0 pF
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 65 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
输出功率 100 W
增益 16 dB
测试电流 400 mA
输入电容Ciss 82pF @28VVds
输出功率Max 100 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 217000 mW
额定电压 65 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 M-246
长度 29.08 mm
宽度 5.97 mm
高度 5.08 mm
封装 M-246
工作温度 -65℃ ~ 200℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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