SD56120

SD56120图片1
SD56120图片2
SD56120图片3
SD56120图片4
SD56120概述

射频功率晶体管射频功率晶体管 RF POWER TRANSISTORS RF POWER TRANSISTORS

**HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF**

**VHF / UHF radio and digital cellular BTS applications**

**HF to 2000MHz class AB common source - PowerFLAT**

VHF / UHF radio applications

**HF to 2000MHz class AB common cource - ceramic packages**

**UHF TV and digital cellular BTS applications**

**2 to 400MHz class AB common source N channel MOSFETs**

HF / SSB, FM / VHF broadband applications

**2 to 30MHz class AB linear, common emitter, HF / SSB**

SD56120中文资料参数规格
技术参数

频率 860 MHz

额定电压DC 65.0 V

额定电流 14 A

极性 N-Channel

耗散功率 217 W

输入电容 82.0 pF

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 65 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 14.0 A

输出功率 100 W

增益 16 dB

测试电流 400 mA

输入电容Ciss 82pF @28VVds

输出功率Max 100 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 217000 mW

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 M-246

外形尺寸

长度 29.08 mm

宽度 5.97 mm

高度 5.08 mm

封装 M-246

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SD56120
型号: SD56120
描述:射频功率晶体管射频功率晶体管 RF POWER TRANSISTORS RF POWER TRANSISTORS
替代型号SD56120
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SD56120

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

SD57120

意法半导体

类似代替

SD56120和SD57120的区别

SD56120M

意法半导体

类似代替

SD56120和SD56120M的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台