SN65EL11DR参数规格_中文资料_数据手册PDF

SN65EL11DR概述

5 -V PECL / ECL 1 ： 2扇出缓冲器 5-V PECL/ECL 1:2 Fanout Buffer

时钟扇出缓冲器（分配） IC 1：2 3.5 GHz 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

得捷:
IC CLK BUFFER 1:2 3.5GHZ 8SOIC

贸泽:
Translation - Voltage Levels PECL/ECL 1:2 Fanout Buffer

艾睿:
Clock Fanout Buffer 2-OUT 1-IN 1:2 8-Pin SOIC T/R

Chip1Stop:
Clock Fanout Buffer 2-OUT 8-Pin SOIC T/R

SN65EL11DR中文资料参数规格

技术参数

电路数 1

耗散功率 840 mW

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 4.2V ~ 5.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

SN65EL11DR引脚图与封装图

在线购买SN65EL11DR

型号： SN65EL11DR

描述：5 -V PECL / ECL 1 ： 2扇出缓冲器 5-V PECL/ECL 1:2 Fanout Buffer

替代型号SN65EL11DR