射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF power transistors HF/VHF/UHF N-channel MOSFETs
**HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF**
**VHF / UHF radio and digital cellular BTS applications**
**HF to 2000MHz class AB common source - PowerFLAT**
VHF / UHF radio applications
**HF to 2000MHz class AB common cource - ceramic packages**
**UHF TV and digital cellular BTS applications**
**2 to 400MHz class AB common source N channel MOSFETs**
HF / SSB, FM / VHF broadband applications
**2 to 30MHz class AB linear, common emitter, HF / SSB**
频率 175 MHz
额定电压DC 125 V
额定电流 40 A
极性 N-Channel
耗散功率 500000 mW
输入电容 480 pF
漏源极电压Vds 125 V
漏源击穿电压 125 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 40.0 A
输出功率 300 W
增益 16 dB
测试电流 500 mA
输入电容Ciss 480pF @50VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500000 mW
额定电压 125 V
安装方式 Flange
引脚数 3
封装 M-244
封装 M-244
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SD2932 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
SD2932W 意法半导体 | 功能相似 | SD2932和SD2932W的区别 |
MRF151G M/A-Com | 功能相似 | SD2932和MRF151G的区别 |
BLF278,112 恩智浦 | 功能相似 | SD2932和BLF278,112的区别 |