SBC817-40LT3G

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SBC817-40LT3G概述

通用晶体管NPN硅集电极的????发射极电压VCEO 45 General Purpose Transistors NPN Silicon Collector − Emitter Voltage VCEO 45

- 双极 BJT - 单 NPN 100MHz 表面贴装型 SOT-23-3(TO-236)


得捷:
TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3


立创商城:
SBC817-40LT3G


艾睿:
ON Semiconductor brings you the solution to your high-voltage BJT needs with their NPN SBC817-40LT3G general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.


Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


DeviceMart:
TRANS NPN 45V 500MA SOT-23


SBC817-40LT3G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SBC817-40LT3G
型号: SBC817-40LT3G
描述:通用晶体管NPN硅集电极的????发射极电压VCEO 45 General Purpose Transistors NPN Silicon Collector − Emitter Voltage VCEO 45
替代型号SBC817-40LT3G
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