射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs
**HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF**
**VHF / UHF radio and digital cellular BTS applications**
**HF to 2000MHz class AB common source - PowerFLAT**
VHF / UHF radio applications
**HF to 2000MHz class AB common cource - ceramic packages**
**UHF TV and digital cellular BTS applications**
**2 to 400MHz class AB common source N channel MOSFETs**
HF / SSB, FM / VHF broadband applications
**2 to 30MHz class AB linear, common emitter, HF / SSB**
频率 30 MHz
额定电压DC 125 V
额定电流 40 A
极性 N-Channel
耗散功率 648 W
输入电容 1.00 nF
漏源极电压Vds 125 V
漏源击穿电压 125 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 40.0 A
输出功率 300 W
增益 23.5 dB
测试电流 250 mA
输入电容Ciss 1000pF @50VVds
输出功率Max 400 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 648000 mW
额定电压 125 V
安装方式 Screw
引脚数 5
封装 M-177
长度 28.96 mm
宽度 16.13 mm
高度 7.11 mm
封装 M-177
工作温度 -65℃ ~ 200℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SD2933 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
SD2933W 意法半导体 | 类似代替 | SD2933和SD2933W的区别 |