射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETS
**HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF**
**VHF / UHF radio and digital cellular BTS applications**
**HF to 2000MHz class AB common source - PowerFLAT**
VHF / UHF radio applications
**HF to 2000MHz class AB common cource - ceramic packages**
**UHF TV and digital cellular BTS applications**
**2 to 400MHz class AB common source N channel MOSFETs**
HF / SSB, FM / VHF broadband applications
**2 to 30MHz class AB linear, common emitter, HF / SSB**
频率 30 MHz
额定电流 20 A
耗散功率 648 W
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
输出功率 350 W
增益 29 dB
测试电流 250 mA
输入电容Ciss 1100pF @100VVds
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 648000 mW
额定电压 250 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 M-174
长度 28.96 mm
宽度 14.1 mm
高度 7.11 mm
封装 M-174
工作温度 -65℃ ~ 200℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99