SBC817-40LT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

SBC817-40LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR SBC817-40LT1G Bipolar BJT Single Transistor, AEC-Q101, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE 新

小信号 NPN ，

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

SBC817-40LT1G中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 2.64 mm

高度 1.11 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

SBC817-40LT1G引脚图与封装图

在线购买SBC817-40LT1G

型号： SBC817-40LT1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR SBC817-40LT1G Bipolar BJT Single Transistor, AEC-Q101, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE 新

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替代型号SBC817-40LT1G

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