晶体管, 射频FET, 25 V, 225 mW, SOT-23
RF Mosfet N 通道 JFET 10 V 10 mA - 12dB - SOT-23-3（TO-236）
得捷:
RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
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N 沟道 JFET 晶体管
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JFET SS JFET XSTR SPCL
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Trans JFET N-CH 25V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans RF FET N-CH 25V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
JFET N-CH 25V 10MA SOT23
额定电流 10 mA
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
耗散功率 225 mW
漏源极电压Vds 25 V
栅源击穿电压 25 V
增益 12 dB
测试电流 10 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
额定电压 25 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SMMBFJ310LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBF5485 安森美 | 完全替代 | SMMBFJ310LT1G和MMBF5485的区别 |
SMMBFJ310LT3G 安森美 | 完全替代 | SMMBFJ310LT1G和SMMBFJ310LT3G的区别 |
MMBF5458 安森美 | 类似代替 | SMMBFJ310LT1G和MMBF5458的区别 |