MOSFET 晶体管,STMicroelectronics射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
射频 MOSFET ,STMicroelectronics
射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。
得捷:
TRANS RF PWR N-CH 580W STAC244B
欧时:
### 射频 MOSFET 晶体管,STMicroelectronics射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
艾睿:
Using semiconductor technology, this STAC3932B RF amplifier from STMicroelectronics operates at high frequencies to amplify or switch electronic signals and electrical power. Its maximum power dissipation is 625000 mW. The component will be shipped in tray format. This RF power MOSFET has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode. Its maximum frequency is 250 MHz.
Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 250V 20A 5-Pin STAC244B Tray
Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 250V 20A 5-Pin STAC244B Loose
频率 123 MHz
耗散功率 625000 mW
漏源极电压Vds 250 V
输出功率 580 W
测试电流 250 mA
输入电容Ciss 492pF @100VVds
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 625000 mW
额定电压 250 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 STAC-244B
长度 34.19 mm
宽度 9.91 mm
高度 5.33 mm
封装 STAC-244B
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99