STAC3932B

STAC3932B图片1
STAC3932B图片2
STAC3932B图片3
STAC3932B图片4
STAC3932B图片5
STAC3932B图片6
STAC3932B图片7
STAC3932B图片8
STAC3932B概述

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

射频 MOSFET ,STMicroelectronics

射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。


得捷:
TRANS RF PWR N-CH 580W STAC244B


欧时:
### 射频 MOSFET 晶体管,STMicroelectronics射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


艾睿:
Using semiconductor technology, this STAC3932B RF amplifier from STMicroelectronics operates at high frequencies to amplify or switch electronic signals and electrical power. Its maximum power dissipation is 625000 mW. The component will be shipped in tray format. This RF power MOSFET has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode. Its maximum frequency is 250 MHz.


Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 250V 20A 5-Pin STAC244B Tray


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 250V 20A 5-Pin STAC244B Loose


STAC3932B中文资料参数规格
技术参数

频率 123 MHz

耗散功率 625000 mW

漏源极电压Vds 250 V

输出功率 580 W

测试电流 250 mA

输入电容Ciss 492pF @100VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 625000 mW

额定电压 250 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 STAC-244B

外形尺寸

长度 34.19 mm

宽度 9.91 mm

高度 5.33 mm

封装 STAC-244B

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STAC3932B
型号: STAC3932B
描述:MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台