SD2931-10

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SD2931-10概述

射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs

**HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF**

**VHF / UHF radio and digital cellular BTS applications**

**HF to 2000MHz class AB common source - PowerFLAT**

VHF / UHF radio applications

**HF to 2000MHz class AB common cource - ceramic packages**

**UHF TV and digital cellular BTS applications**

**2 to 400MHz class AB common source N channel MOSFETs**

HF / SSB, FM / VHF broadband applications

**2 to 30MHz class AB linear, common emitter, HF / SSB**

SD2931-10中文资料参数规格
技术参数

频率 175 MHz

额定电压DC 125 V

额定电流 20 A

极性 N-Channel

耗散功率 389000 mW

输入电容 480 pF

漏源极电压Vds 125 V

漏源击穿电压 125 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

输出功率 150 W

增益 15 dB

测试电流 250 mA

输入电容Ciss 480pF @50VVds

输出功率Max 150 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 389000 mW

额定电压 125 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 M-174

外形尺寸

封装 M-174

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SD2931-10
型号: SD2931-10
描述:射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs
替代型号SD2931-10
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