PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
小信号 PNP ,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
欧时:
### 小信号 PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
立创商城:
SBC856BLT1G
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS GP XSTR SPCL TR
e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 150 hFE
艾睿:
Add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit with this PNP SBC856BLT1G GP BJT from ON Semiconductor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 65 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
Allied Electronics:
ON Semi SBC856BLT1G PNP Bipolar Transistor, 0.1 A, 65 V, 3-Pin SOT-23
安富利:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR SBC856BLT1G TRANS, AEC-Q101, PNP, -65V, SOT-23-3 New
频率 100 MHz
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 220
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 150
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 2.64 mm
高度 1.11 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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