PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
小信号 PNP ,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
欧时:
ON Semiconductor SBC857CLT1G , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:125, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
得捷:
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
立创商城:
SBC857CLT1G
e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 270 hFE
艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
ON Semi SBC857CLT1G PNP Bipolar Transistor, 0.1 A, 45 V, 3-Pin SOT-23
安富利:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR SBC857CLT1G TRANS, AEC-Q101, PNP, -45V, SOT-23-3 New
频率 100 MHz
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 270
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 2.64 mm
高度 1.11 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SBC857CLT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC857CLT1G 安森美 | 类似代替 | SBC857CLT1G和BC857CLT1G的区别 |
BC857CLT3G 安森美 | 类似代替 | SBC857CLT1G和BC857CLT3G的区别 |
BC857C Diotec Semiconductor | 功能相似 | SBC857CLT1G和BC857C的区别 |