SS8050DBU

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SS8050DBU概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SS8050DBU  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 100 MHz, 1 W, 1.5 A, 160 hFE

The is a NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for use in 2W output amplifier of portable radios in Class B push-pull operation.

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Complimentary to SS8550

欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 1.5A 3-Pin TO-92 Bulk


安富利:
Trans GP BJT NPN 25V 1.5A 3-Pin TO-92 Bulk


Verical:
Trans GP BJT NPN 25V 1.5A 3-Pin TO-92 Bulk


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SS8050DBU  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 25 V, 100 MHz, 1 W, 1.5 A, 160 hFE


Win Source:
TRANS NPN 25V 1.5A TO-92


SS8050DBU中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 25.0 V

额定电流 1.50 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 160 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 1 W

直流电流增益hFE 160

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 4.58 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SS8050DBU
型号: SS8050DBU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SS8050DBU  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 100 MHz, 1 W, 1.5 A, 160 hFE
替代型号SS8050DBU
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