SMUN2230T1G概述
数字晶体管（ BRT） R1 = 1千欧？ R2 = 1，科恩？ Digital Transistors BRT R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhn
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59
立创商城:
SMUN2230T1G
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59 T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59 T/R
SMUN2230T1G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 0.338 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 3 @5mA, 10V
额定功率Max 230 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 338 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SMUN2230T1G
型号： SMUN2230T1G
制造商：
ON Semiconductor
安森美
描述：数字晶体管（ BRT） R1 = 1千欧？ R2 = 1，科恩？ Digital Transistors BRT R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhn