SDTA114YET1G概述
数字晶体管（ BRT ） R1 = 10千欧， R2 = 47 K· Digital Transistors BRT R1 = 10 k, R2 = 47 k
- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压 表面贴装型 SC-75，SOT-416
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75
立创商城:
SDTA114YET1G
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-416
Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
SDTA114YET1G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
外形尺寸
封装 SC-75-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SDTA114YET1G
型号： SDTA114YET1G
制造商：
ON Semiconductor
安森美
描述：数字晶体管（ BRT ） R1 = 10千欧， R2 = 47 K· Digital Transistors BRT R1 = 10 k, R2 = 47 k