SMUN5115T1G概述
数字晶体管（ BRT ） R1 = 10千欧， R2 = ？ K + Digital Transistors BRT R1 = 10 k, R2 = k
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 SOT323
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SMUN5115T1G
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TRANS PREBIAS DUAL PNP SC70
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin SOT-323 T/R
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
SMUN5115T1G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.31 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V
额定功率Max 202 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
封装 SC-70-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SMUN5115T1G
型号： SMUN5115T1G
制造商：
ON Semiconductor
安森美
描述：数字晶体管（ BRT ） R1 = 10千欧， R2 = ？ K + Digital Transistors BRT R1 = 10 k, R2 = k