通用晶体管 General Purpose Transistors
Jump-start your electronic circuit design with this versatile NPN GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
频率 100 MHz
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SBC847BLT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC847BLT1G 安森美 | 类似代替 | SBC847BLT1G和BC847BLT1G的区别 |
BC850BLT1G 安森美 | 类似代替 | SBC847BLT1G和BC850BLT1G的区别 |
BC847BLT3G 安森美 | 类似代替 | SBC847BLT1G和BC847BLT3G的区别 |