SMMUN2214LT1G

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SMMUN2214LT1G概述

双电阻器数字 NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

双电阻器数字 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23


欧时:
ON Semiconductor SMMUN2214LT1G NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 3引脚 SOT-23封装


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  SMMUN2214LT1G  TRANS, AEC-Q101, NPN, 10K/47K, SOT-23-3 New


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23


SMMUN2214LT1G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

极性 NPN

耗散功率 0.4 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 246 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SMMUN2214LT1G
型号: SMMUN2214LT1G
描述:双电阻器数字 NPN 晶体管,ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管,On Semiconductor 配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
替代型号SMMUN2214LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SMMUN2214LT1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

DTC114YKAT146

罗姆半导体

功能相似

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PDTC114YT,215

恩智浦

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DRC2114Y0L

松下

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