数字晶体管（ BRT ） R1 = 10千欧， R2 = ？ K + Digital Transistors BRT R1 = 10 k, R2 = k
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
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无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 0.4 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V
额定功率Max 246 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99