SMMBTA56WT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMMBTA56WT1G概述

SC-70 PNP 80V 0.5A

Bipolar BJT Transistor PNP 80V 500mA 50MHz 150mW Surface Mount SC-70-3 SOT323

得捷:
TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3

立创商城:
SMMBTA56WT1G

艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A Automotive 3-Pin SC-70 T/R

安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin SC-70 T/R

SMMBTA56WT1G中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

高度 0.85 mm

封装 SC-70-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SMMBTA56WT1G

型号： SMMBTA56WT1G

描述：SC-70 PNP 80V 0.5A

替代型号SMMBTA56WT1G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SMMBTA56WT1G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MMBTA56WT1G 安森美	完全替代	SMMBTA56WT1G和MMBTA56WT1G的区别
SMMBTA56WT3G 安森美	完全替代	SMMBTA56WT1G和SMMBTA56WT3G的区别
MMSTA56-7-F 美台	功能相似	SMMBTA56WT1G和MMSTA56-7-F的区别