SMMBTA06WT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMMBTA06WT1G概述

MMBTA06WT1: NPN 双极晶体管

Driver Transistor NPN Silicon

Moisture Sensitivity Level: 1

ESD Rating: Human Body Model −4 kV

:Machine Model −400 V

Features

•S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

•These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

得捷:
TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3

立创商城:
SMMBTA06WT1G

艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A Automotive 3-Pin SC-70 T/R

安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin SC-70 T/R

SMMBTA06WT1G中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SMMBTA06WT1G

型号： SMMBTA06WT1G

描述：MMBTA06WT1: NPN 双极晶体管

替代型号SMMBTA06WT1G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SMMBTA06WT1G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MMBTA06WT1G 安森美	完全替代	SMMBTA06WT1G和MMBTA06WT1G的区别
SMMBTA06WT3G 安森美	类似代替	SMMBTA06WT1G和SMMBTA06WT3G的区别
MPSA06RLRAG 安森美	功能相似	SMMBTA06WT1G和MPSA06RLRAG的区别