NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
- 双极 BJT - 单 NPN 160 V 600 mA 225 mW 表面贴装型 SOT-23-3(TO-236)
得捷:
TRANS NPN 160V 600MA SOT23-3
欧时:
SS SOT23 HV XSTR SPCL TR
立创商城:
高电压 NPN 双极晶体管
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SS HV XSTR SPCL TR
e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 30 hFE
艾睿:
Thanks to ON Semiconductor, your circuit can handle high levels of voltage using the NPN SMMBT5551LT1G general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. It has a maximum collector emitter voltage of 160 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
Allied Electronics:
ON Semi SMMBT5551LT1G NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 160 V; 3-Pin SOT-23
安富利:
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR SMMBT5551LT1G TRANSISTOR, NPN, 160V, 0.225W, SOT-23 New
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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