SBC847BDW1T1G

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SBC847BDW1T1G概述

BC 系列 45 V 100 mA NPN 硅 双 通用 晶体管 - SOT-363

- 双极 BJT - 阵列 2 NPN(双) 45V 100mA 100MHz 380mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363


得捷:
TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363


立创商城:
SBC847BDW1T1G


欧时:
SS SC88 GP XSTR NPN 45V


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V


e络盟:
双极晶体管阵列, 双NPN, 45 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363


艾睿:
Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile NPN SBC847BDW1T1G GP BJT from ON Semiconductor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 380 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin SC-88 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 6-Pin SC-88 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R


SBC847BDW1T1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 6

极性 NPN

耗散功率 380 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 450 @2mA, 5V

额定功率Max 380 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 380 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SBC847BDW1T1G
型号: SBC847BDW1T1G
描述:BC 系列 45 V 100 mA NPN 硅 双 通用 晶体管 - SOT-363
替代型号SBC847BDW1T1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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