SBC857CDW1T1G概述
双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 45V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
得捷:
TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT-363
立创商城:
SBC857CDW1T1G
艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.2A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
SBC857CDW1T1G中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.38 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 380 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 380 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
外形尺寸
封装 TSSOP-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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