双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SS SOT23 HV XSTR SPCL TR
- 双极 BJT - 单 NPN 160 V 600 mA - 225 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）
得捷:
TRANS NPN 160V 600MA SOT23-3
立创商城:
SMMBT5551LT3G
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SS SOT23 HV XSTR SPCL TR
艾睿:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 / Bipolar BJT Transistor NPN 160 V 600 mA 225 mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SMMBT5551LT3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT5551LT1G 安森美 | 类似代替 | SMMBT5551LT3G和MMBT5551LT1G的区别 |
SMMBT5551LT1G 安森美 | 类似代替 | SMMBT5551LT3G和SMMBT5551LT1G的区别 |
MMBT5551LT3G 安森美 | 类似代替 | SMMBT5551LT3G和MMBT5551LT3G的区别 |