小信号PNP晶体管 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR
If your circuit"s specifications require a device that can handle high levels of voltage, STMicroelectronics" PNP general purpose bipolar junction transistor is for you. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 625 mW. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 300 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.
频率 50 MHz
额定电压DC -300 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 4.95 mm
宽度 3.94 mm
高度 4.95 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STPSA92 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STPSA92-AP 意法半导体 | 完全替代 | STPSA92和STPSA92-AP的区别 |
2N4403BU 飞兆/仙童 | 功能相似 | STPSA92和2N4403BU的区别 |
MPSA92G 安森美 | 功能相似 | STPSA92和MPSA92G的区别 |