S1KHE3_A/I

S1KHE3_A/I图片1
S1KHE3_A/I概述

Diode Switching 800V 1A Automotive 2Pin SMA T/R

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Glass passivated chip junction

• Low forward voltage drop

• Low leakage current

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C

• AEC-Q101 qualified

• Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

  For use in general purpose rectification of power supplies, inverters, converters and freewheeling diodes for consumer, automotive, and telecommunication.

S1KHE3_A/I中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.1V @1A

反向恢复时间 1.8 µs

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AC

外形尺寸

封装 DO-214AC

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买S1KHE3_A/I
型号: S1KHE3_A/I
描述:Diode Switching 800V 1A Automotive 2Pin SMA T/R
替代型号S1KHE3_A/I
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

S1KHE3_A/I

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

S1KHE3/5AT

威世

完全替代

S1KHE3_A/I和S1KHE3/5AT的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台