SBAS116LT1G

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SBAS116LT1G概述

ON Semiconductor### 标准带 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器,ON Semiconductor

小信号开关,

### 标准

带 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。


得捷:
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3


立创商城:
75 V Switching Diode


欧时:
ON Semiconductor 二极管 SBAS116LT1G 开关, Io=200mA, Vrev=75V, 3μs, 3引脚 SOT-23封装


e络盟:
二极管 小信号, 单, 75 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA


艾睿:
Converting from AC to DC is simple when using a switching diode SBAS116LT1G rectifier from ON Semiconductor. Its maximum power dissipation is 300 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This rectifier has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It is made in a single configuration. Its peak non-repetitive surge current is 0.5 A, while its maximum continuous forward current is 0.2 A.


安富利:
Diode Small Signal Switching 75V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Diode Small Signal Switching 75V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Rectifier Diode Small Signal Switching 0.2A 3000ns Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3 / Diode Standard 75 V 200mA DC Surface Mount SOT-23-3 TO-236


SBAS116LT1G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

正向电压 1.25 V

耗散功率 225 mW

反向恢复时间 3000 ns

正向电流 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 500 mA

正向电压Max 1.25 V

正向电流Max 200 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SBAS116LT1G
型号: SBAS116LT1G
描述:ON Semiconductor ### 标准 带 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。 ### 二极管和整流器,ON Semiconductor

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