SMUN5131DW1T1G概述
双PNP偏置电阻晶体管R1 = 2.2千欧， R2 = 2.2 K· Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k
- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式（双） 50V 100mA - 250mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363
得捷:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
立创商城:
SMUN5131DW1T1G
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR PNP 50V
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 50V SC88
SMUN5131DW1T1G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.385 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 8 @5mA, 10V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 385 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
封装 SOT-363-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SMUN5131DW1T1G
型号： SMUN5131DW1T1G
制造商：
ON Semiconductor
安森美
描述：双PNP偏置电阻晶体管R1 = 2.2千欧， R2 = 2.2 K· Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k