SMBT3904DW1T1G

SMBT3904DW1T1G图片1
SMBT3904DW1T1G图片2
SMBT3904DW1T1G图片3
SMBT3904DW1T1G图片4
SMBT3904DW1T1G图片5
SMBT3904DW1T1G图片6
SMBT3904DW1T1G图片7
SMBT3904DW1T1G图片8
SMBT3904DW1T1G图片9
SMBT3904DW1T1G图片10
SMBT3904DW1T1G图片11
SMBT3904DW1T1G图片12
SMBT3904DW1T1G图片13
SMBT3904DW1T1G概述

MBT 系列 40 V 200 mA 表面贴装 NPN 硅 双 通用 晶体管 - SOT-363

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

### ,On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

SMBT3904DW1T1G中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

针脚数 6

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

SMBT3904DW1T1G引脚图与封装图
SMBT3904DW1T1G引脚图
SMBT3904DW1T1G封装图
SMBT3904DW1T1G封装焊盘图
在线购买SMBT3904DW1T1G
型号: SMBT3904DW1T1G
描述:MBT 系列 40 V 200 mA 表面贴装 NPN 硅 双 通用 晶体管 - SOT-363
替代型号SMBT3904DW1T1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SMBT3904DW1T1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

SBC847BPDXV6T1G

安森美

功能相似

SMBT3904DW1T1G和SBC847BPDXV6T1G的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台