SMUN5113DW1T1G

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SMUN5113DW1T1G概述

MUN5113DW1: 双 PNP 双极数字晶体管 BRT

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363


得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363


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双 PNP 双极数字晶体管 BRT


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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R


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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SC-88 T/R


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TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363 / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363


SMUN5113DW1T1G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 385 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 187 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 385 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SMUN5113DW1T1G
型号: SMUN5113DW1T1G
描述:MUN5113DW1: 双 PNP 双极数字晶体管 BRT

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