MUN5235DW1: 双 NPN 双极数字晶体管 BRT
- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式（双） 50V 100mA - 187mW 表面贴装型 SOT-363
得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
立创商城:
双 NPN 双极数字晶体管 BRT
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased LESHANBE SS SC88 BR XSTR
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 6-Pin SOT-363 T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
极性 NPN
耗散功率 0.385 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 187 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 385 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
封装 SOT-363
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SMUN5235DW1T3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN5235DW1T1 安森美 | 类似代替 | SMUN5235DW1T3G和MUN5235DW1T1的区别 |
MUN5235DW1T1G 安森美 | 功能相似 | SMUN5235DW1T3G和MUN5235DW1T1G的区别 |
SMUN5235DW1T1G 安森美 | 功能相似 | SMUN5235DW1T3G和SMUN5235DW1T1G的区别 |