SMUN5116DW1T1G概述
双PNP偏置电阻晶体管R1 = 4.7千欧姆， R2 = ？欧姆？ Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = kOhm
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
得捷:
DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS
立创商城:
SMUN5116DW1T1G
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
SMUN5116DW1T1G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.385 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V
额定功率Max 187 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 385 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
外形尺寸
封装 SOT-363
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SMUN5116DW1T1G
型号： SMUN5116DW1T1G
制造商：
ON Semiconductor
安森美
描述：双PNP偏置电阻晶体管R1 = 4.7千欧姆， R2 = ？欧姆？ Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 4.7 kOhm, R2 = kOhm