SE10FGHM3/I

SE10FGHM3/I图片1
SE10FGHM3/I中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.05V @1A

反向恢复时间 780 ns

正向电流 1 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-219AB-2

外形尺寸

封装 DO-219AB-2

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: SE10FGHM3/I
描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB

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