SSM3J334R,LF

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SSM3J334R,LF概述

SOT-23F P-CH 30V 4A

Create an effective common drain amplifier using this power MOSFET from . Its maximum power dissipation is 1000 mW. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


得捷:
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F


贸泽:
MOSFET P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -30VDSS 280pF


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R


Win Source:
MOSFET P CH 30V 4A SOT-23F


SSM3J334R,LF中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 1 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4A

输入电容Ciss 280pF @15VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

SSM3J334R,LF引脚图与封装图
SSM3J334R,LF引脚图
SSM3J334R,LF封装图
SSM3J334R,LF封装焊盘图
在线购买SSM3J334R,LF
型号: SSM3J334R,LF
制造商: Toshiba 东芝
描述:SOT-23F P-CH 30V 4A

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