SOT-23F P-CH 30V 4A
Create an effective common drain amplifier using this power MOSFET from . Its maximum power dissipation is 1000 mW. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
得捷:
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
贸泽:
MOSFET P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -30VDSS 280pF
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
Win Source:
MOSFET P CH 30V 4A SOT-23F
极性 P-CH
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 4A
输入电容Ciss 280pF @15VVds
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
香港进出口证 NLR