SSM3J331R,LF

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SSM3J331R,LF概述

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3Pin SOT-23F

Amplify electronic signals and switch between them with the help of "s power MOSFET. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with u-mos vi technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

SSM3J331R,LF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 630pF @10VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

SSM3J331R,LF引脚图与封装图
SSM3J331R,LF引脚图
SSM3J331R,LF封装图
SSM3J331R,LF封装焊盘图
在线购买SSM3J331R,LF
型号: SSM3J331R,LF
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3Pin SOT-23F
替代型号SSM3J331R,LF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SSM3J331R,LF

Toshiba 东芝

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