SSM6J503NU,LFT

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SSM6J503NU,LFT中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1W Ta

输入电容Ciss 840pF @10VVds

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 UDFNB-6

外形尺寸

封装 UDFNB-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

SSM6J503NU,LFT引脚图与封装图
SSM6J503NU,LFT引脚图
SSM6J503NU,LFT封装图
SSM6J503NU,LFT封装焊盘图
在线购买SSM6J503NU,LFT
型号: SSM6J503NU,LFT
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6Pin UDFN-B EP

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