STR2550

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STR2550概述

STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。

高电压,STMicroelectronics

### 双极晶体管,STMicroelectronics

STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP ,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。


得捷:
TRANS PNP 500V 0.5A SOT23-3


欧时:
STMicroelectronics STR2550 , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=500 V, HFE:10, 3引脚 SOT-23封装


立创商城:
PNP 500V 500mA


艾睿:
Compared to other transistors, the PNP STR2550 general purpose bipolar junction transistor, developed by STMicroelectronics, can offer a high-voltage solution in your circuit. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 500 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 500 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.


安富利:
Trans GP BJT PNP 500V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 500V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 500V 0.5A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STR2550  TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -500V, SOT-23-3 New


Win Source:
TRANS PNP 500V 0.5A SOT-23


STR2550中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 500 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @50mA, 10V

额定功率Max 500 mW

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.75 mm

高度 1.3 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STR2550引脚图与封装图
STR2550引脚图
STR2550封装焊盘图
在线购买STR2550
型号: STR2550
描述:STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。

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