STX616-AP

STX616-AP图片1
STX616-AP图片2
STX616-AP图片3
STX616-AP图片4
STX616-AP图片5
STX616-AP图片6
STX616-AP图片7
STX616-AP图片8
STX616-AP图片9
STX616-AP概述

STX616 系列 500 V 1.5 A NPN 高压 功率晶体管 - TO-92AP

- 双极 BJT - 单 NPN 500 V 1.5 A - 2.8 W 通孔 TO-92AP


立创商城:
NPN 500V 1.5A


得捷:
TRANS NPN 500V 1.5A TO92AP


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 500 V, 2.8 W, 1.5 A, 4 hFE


艾睿:
Use this versatile NPN STX616-AP GP BJT from STMicroelectronics to design various electronic circuits. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 12 V. Its maximum power dissipation is 2800 mW. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 500 V and a maximum emitter base voltage of 12 V.


安富利:
Trans GP BJT NPN 500V 1.5A 3-Pin TO-92 Ammo


富昌:
STX616 系列 500 V 1.5 A NPN 高压 功率晶体管 - TO-92AP


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 500V 1.5A 3-Pin TO-92 Ammo


Verical:
Trans GP BJT NPN 500V 1.5A 2800mW 3-Pin TO-92 T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STX616-AP  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 500 V, 2.8 W, 1.5 A, 25 hFE


STX616-AP中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 2.8 W

击穿电压集电极-发射极 500 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 12 @500mA, 5V

额定功率Max 2.8 W

直流电流增益hFE 25

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

宽度 3.94 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STX616-AP
型号: STX616-AP
描述:STX616 系列 500 V 1.5 A NPN 高压 功率晶体管 - TO-92AP
替代型号STX616-AP
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STX616-AP

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

STBV32-AP

意法半导体

类似代替

STX616-AP和STBV32-AP的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台