SSN1N45BTA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 450 V
额定电流 500 mA
针脚数 3
漏源极电阻 3.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 900 mW
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 450 V
漏源击穿电压 450 V
栅源击穿电压 ±50.0 V
连续漏极电流Ids 500 mA
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 240pF @25VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 36 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 900mW Ta
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SSN1N45BTA
型号： SSN1N45BTA
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SSN1N45BTA 晶体管, MOSFET, B-FET, N沟道, 500 mA, 450 V, 3.4 ohm, 10 V, 3 V
替代型号SSN1N45BTA
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SSN1N45BTA Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
SSN1N45BBU 飞兆/仙童 | 类似代替 | SSN1N45BTA和SSN1N45BBU的区别 |