STF826

STF826图片1
STF826图片2
STF826概述

SOT-89 PNP 30V 3A

- 双极 BJT - 单 PNP 100MHz 表面贴装型 SOT-89-3


得捷:
TRANS PNP 30V 3A SOT89-3


艾睿:
Add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit with this PNP STF826 GP BJT from STMicroelectronics. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1400 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 30 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 30V 3A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP MED PWR SOT-89


STF826中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 2V

额定功率Max 1.4 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

STF826引脚图与封装图
STF826引脚图
STF826封装图
STF826封装焊盘图
在线购买STF826
型号: STF826
描述:SOT-89 PNP 30V 3A
替代型号STF826
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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