STX13003G-AP

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STX13003G-AP概述

TO-92 NPN 400V 1A

Bipolar BJT Transistor NPN 400V 1A 1.5W Through Hole TO-92AP


得捷:
TRANS NPN 400V 1A TO92AP


艾睿:
Compared to other transistors, the NPN STX13003G-AP general purpose bipolar junction transistor, developed by STMicroelectronics, can offer a high-voltage solution in your circuit. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 9 V. Its maximum power dissipation is 1500 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 400 V and a maximum emitter base voltage of 9 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin TO-92 Ammo


STX13003G-AP中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 8 @500mA, 2V

额定功率Max 1.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STX13003G-AP
型号: STX13003G-AP
描述:TO-92 NPN 400V 1A
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