STBV45G参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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STBV45G概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT H/V FST SWCH PW TRNS NPN

- 双极 BJT - 单 NPN 400 V 750 mA - 950 mW 通孔 TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 400V 0.75A TO92-3

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT H/V FST SWCH PW TRNS NPN

艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 0.75A 3-Pin TO-92 Bulk

STBV45G中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 950 mW

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 0.75A

最小电流放大倍数hFE 5 @400mA, 5V

额定功率Max 950 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.95 mm

宽度 3.94 mm

高度 4.95 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STBV45G

型号： STBV45G

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT H/V FST SWCH PW TRNS NPN

替代型号STBV45G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
STBV45G ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
STBV45G-AP 意法半导体	类似代替	STBV45G和STBV45G-AP的区别
STBV45 意法半导体	类似代替	STBV45G和STBV45的区别
STBV45-AP 意法半导体	功能相似	STBV45G和STBV45-AP的区别