SSM3J321TTE85L,F参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SSM3J321TTE85L,F概述

MOSFET Pch 20V 5.2A 0.046Ω/4.5V TSM

P-Channel 20V 5.2A Ta 700mW Ta Surface Mount TSM

得捷:
MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM

贸泽:
MOSFET Single P-ch 20V 5.2A

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 5.2A 3-Pin TSM T/R

安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 5.2A 3-Pin TSM T/R

Win Source:
MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM

SSM3J321TTE85L,F中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 46 mΩ

耗散功率 700mW Ta

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

输入电容Ciss 640pF @10VVds

额定功率Max 700 mW

耗散功率Max 700mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.7 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SSM3J321TTE85L,F

型号： SSM3J321TTE85L,F

制造商： Toshiba 东芝

描述：MOSFET Pch 20V 5.2A 0.046Ω/4.5V TSM